加州山景城2019年5月7日 /美通社/ -- 

新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布為DDR5/4非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊(NVDIMM-P)，推出業(yè)內(nèi)首個驗證IP (VIP)。NVDIMM-P是新一代存儲級內(nèi)存，面向從數(shù)據(jù)、存儲和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫到實時處理的企業(yè)應用，在性能、安全性和耐用性上面提出了富有挑戰(zhàn)性的要求，而且擁有內(nèi)存的持久化、可靠性和正常運行時間。新思科技面向NVDIMM-P的VC VIP能夠支持易于使用、進行快速集成和擁有最佳操作特性的新一代內(nèi)存設備的設計，從而加速完成驗證。

三星內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)劃和應用工程團隊高級副總裁Jinman Han表示：“三星正在努力開發(fā)強大的NVDIMM-P生態(tài)系統(tǒng)，帶來擁有出眾的性能、持久化和耐用性的存儲級內(nèi)存解決方案。通過與新思科技進行新一代內(nèi)存技術開發(fā)的緊密合作，讓我們共同的客戶能夠成功采用最新內(nèi)存解決方案。”

NVDIMM-P是一種“二合一”混合內(nèi)存技術，既擁有Flash內(nèi)存的非易失性和持久化，又具備DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的速度、性能和耐用性。新思科技面向NVDIMM-P的VC VIP采用新一代本地SystemVerilog通用驗證方法學(UVM)架構，支持在現(xiàn)有的驗證環(huán)境中輕松進行集成，以便加快進行首次測試的速度。面向NVDIMM-P的VC VIP在本地與新思科技的Verdi^® Protocol和Performance Analyzer進行集成。這款解決方案還能為加速完成驗證，提供內(nèi)置覆蓋和驗證計劃。

新思科技芯片驗證事業(yè)部研發(fā)副總裁Vikas Gautam表示：“新思科技為所有現(xiàn)有和新一代技術提供全面的DRAM和Flash內(nèi)存驗證解決方案，包括DDR5、LPDDR5、DFI5.0、HBM3、3DS和MRAM，現(xiàn)在NVDIMM-P也包含其中。通過與標準化組織和內(nèi)存供應商緊密合作，新思科技提供和部署在業(yè)內(nèi)首開先河并經(jīng)過客戶驗證的解決方案，支持創(chuàng)造市場新趨勢的公司迅速采用最新內(nèi)存技術。”

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新思科技面向DDR5/4 NVDIMM-P的Synopsys VC VIP現(xiàn)在進行初步試用。