全新的3.0V 1Gb-4Gb密度2KB/4KB頁面第一代串行（SPI）NAND和1Gb-4Gb密度2KB頁面第三代并行NAND ML-3產(chǎn)品系列，具有先進的安全功能 

加利福尼亞州圣何塞2021年10月11日 /美通社/ -- 嵌入式存儲解決方案全球領導者SkyHigh Memory Limited將在其NAND閃存系列中推出3.0V 1Gb-4Gb密度4KB頁面和2KB頁面ML-3產(chǎn)品。全新的1Gb-4Gb ML-3 SLC NAND閃存產(chǎn)品系列設備的設計采用了業(yè)界最先進的1納米SLC NAND產(chǎn)品技術節(jié)點。

可提供不同接口，SkyHigh Memory第一代串行（SPI）SLC NAND和第三代并行SLC NAND補強了已在生產(chǎn)中的第三代ML-3 4Gb-16Gb并行SLC NAND產(chǎn)品系列。

新的1Gb-4Gb設備將用于支持在最高達105°C的擴展溫度下存儲關鍵數(shù)據(jù)的高可靠性系統(tǒng)。借助其內部ECC引擎，ML-3產(chǎn)品系列可以支持低至1位ECC引擎的芯片組，以適應傳統(tǒng)芯片組和具有更高ECC引擎的現(xiàn)代芯片組。

ML-3產(chǎn)品系列還具有多種安全功能，可保護敏感啟動代碼、系統(tǒng)固件和應用完整性免受惡意軟件的影響。

ML-3產(chǎn)品系列設備非常適合用于高可靠性的和/或安全的應用，如工業(yè)控制、聯(lián)網(wǎng)設備、物聯(lián)網(wǎng)應用和機頂盒。

“我們全面的ML-3 NAND閃存系列具有高可靠性和增強的安全性，以及高性能應用所需的串行和并行接口，”SkyHigh Memory首席執(zhí)行官GH Bae表示。“推出這個系列符合我們?yōu)榭焖僭鲩L的目標市場（工業(yè)、聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)）提供高可靠性和安全存儲解決方案的戰(zhàn)略。”

安全系統(tǒng)設計需要存儲元件，從而保護存儲數(shù)據(jù)免受編程和刪除操作的影響。SkyHigh Memory ML-3 SLC NAND閃存設備提供兩種傳統(tǒng)上在SLC NAND競品中不存在的保護機制：易失性和永久性區(qū)塊保護方法。借助易失性區(qū)塊保護，可以保護整個內存內容。在這種方法中，保護參數(shù)設置具有易失性，因此必須在上電時加載到設備。借助永久性區(qū)塊保護，保護參數(shù)設置是永久性的，在產(chǎn)品生命周期內僅需編程一次。可永久保護多達64Mb的數(shù)據(jù)。此外，ML-3 SLC NAND產(chǎn)品系列設備包含1Mb的OTP，這是市面上所有SLC NAND中最大的OTP。

ML-3串行（SPI）SLC NAND是SkyHigh Memory的第一代串行接口SLC NAND內存。該設備采用8引腳LGA（6mm x 8mm）封裝，可節(jié)省電路板空間并簡化電路板布局。有關該系列的更多信息，請訪問 http://www.skyhighmemory.com/ML-3_Serial_(SPI)_Interface。

ML-3并行SLC NAND提供通向SkyHigh Memory第一和第二代并行接口SLC NAND內存的遷移路徑，外形和適用性均可兼容。這些設備采用行業(yè)標準封裝：48引腳TSOP（12mm x 20mm）和63焊球BGA（9mm x 11mm）。有關該系列的更多信息，請訪問 http://www.skyhighmemory.com/ML-3-Parallel_Interface_SLC_NAND。 

供應情況 
SkyHigh Memory 2Gb和4Gb ML-3串行（SPI）和并行SLC NAND閃存現(xiàn)可提供樣品。

SkyHigh Memory 1Gb ML-3串行（SPI）和并行SLC NAND閃存將于2022年1月提供樣品。