Molecular Imprints 的Jet and Flash? 壓印光刻 (J-FIL?)技術(shù)將在2014年用于半導(dǎo)體存儲器的生產(chǎn)

得克薩斯州奧斯汀2012年9月24日電 /美通社/ -- 納米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商Molecular Imprints, Inc. (MII) 今天宣布，該公司已經(jīng)獲得一份包含多個壓印模板的采購訂單。這些模板將被整合進(jìn)某半導(dǎo)體設(shè)備公司的光刻機中，包括 MII 專有的最新 Jet and Flash? 壓印光刻 (J-FIL?) 技術(shù)，這項技術(shù)具備先進(jìn)半導(dǎo)體存儲設(shè)備大批量生產(chǎn)所需的性能。

（圖標(biāo)：http://photos.prnewswire.com/prnh/20100504/MILOGO）

Molecular Imprints 總裁兼首席執(zhí)行官 Mark Melliar-Smith 表示：“這份多模板訂單是我們的客戶為 J-FIL在生產(chǎn)前最后準(zhǔn)備階段的使用所投上的信任的一票。我們的設(shè)備和商用面具合作伙伴與內(nèi)部團(tuán)隊已經(jīng)對開發(fā)活動進(jìn)行了成功協(xié)調(diào)，并在去年取得了巨大的進(jìn)步，特別是在減少不合格和降低整體擁有成本 (CoO) 方面有了很大的改善。我們期待著J-FIL 技術(shù)下一步的商業(yè)化進(jìn)程，希望能為這個半導(dǎo)體存儲器接下來幾年的發(fā)展提供支持。”

該公司的 J-FIL? 技術(shù)已經(jīng)展示了24納米圖案結(jié)構(gòu)，其刻線邊緣粗糙度小于2納米（3西格瑪），臨界尺寸均勻性為1.2納米（3西格瑪），可擴(kuò)展至10納米，使用的是簡單的單一圖案工藝。J-FIL 避免了功率受限的遠(yuǎn)紫外線 (EUV) 光源、復(fù)雜的光學(xué)透鏡和鏡面以及利用超靈敏光致抗蝕劑讓圖案成形的難度，這些固有的擁有成本優(yōu)勢使其非常適合用于半導(dǎo)體存儲器的制造。

Molecular Imprints, Inc.簡介

Molecular Imprints, Inc. (MII) 是高分辨率與低擁有成本納米圖案成形系統(tǒng)和解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商。MII 將利用其創(chuàng)新的 Jet and Flash? 壓印光刻 (J-FIL?) 技術(shù)成為半導(dǎo)體存儲設(shè)備大批量圖案成形解決方案的全球市場和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商，并為新興市場顯示器、清潔能源、生物技術(shù)等行業(yè)的發(fā)展提供支持。MII 通過提供價格適中、可兼容且可擴(kuò)展至小于10納米規(guī)格的全方位納米圖案成形解決方案來支持納米刻度圖案的形成。垂詢詳情或關(guān)注該公司的微博，請訪問：www.molecularimprints.com。

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Paul Hofemann
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