LSI SandForce SF-2000 閃存存儲處理器可加速業(yè)界最先進閃存介質(zhì)的性能，并使可靠性實現(xiàn)較大化
北京2012年6月5日電 /美通社亞洲/ -- 在2012臺北國際電腦展上，LSI公司（紐約證交所股票代碼：LSI）宣布演示其備受贊譽的SandForce® SF-2000閃存存儲處理器（FSP），該產(chǎn)品采用Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND 閃存 -- 目前SSD應(yīng)用中所使用的最先進閃存技術(shù)。這些前沿的技術(shù)將于本周舉行的2012年臺北國際電腦展上進行互動演示。
LSI SandForce FSP 可為NAND 閃存固態(tài)硬盤（SSD）提供同類較佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司現(xiàn)有的產(chǎn)品證明，LSI不僅可以幫助SSD制造商以更快的速度向市場推出成本更低的SSD產(chǎn)品，還可以加速閃存存儲在云計算、企業(yè)和客戶端應(yīng)用中的廣泛普及。到2015年SSD產(chǎn)品在客戶端和企業(yè)市場領(lǐng)域的出貨量將超過1億，與2011年相比出貨量增長56%。(1)
SSD目標分析師Jim Handy 指出：“SSD用戶都希望從領(lǐng)先的閃存技術(shù)中獲得巨大的成本優(yōu)勢，但大部分SSD控制器都無法管理最先進和成本較低的閃存芯片的復(fù)雜性。通過支持較小的NAND工藝，LSI將幫助OEM廠商和終端用戶在云計算、企業(yè)和客戶端等I/O密集型和基本數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用中部署最具成本效益的閃存存儲處理器。”
隨著閃存存儲器的尺寸不斷縮小，引入先進的錯誤校驗功能已成為當務(wù)之急。這是因為獨立單元已很難維持一定荷質(zhì)比，這會降低閃存器件的可靠性、數(shù)據(jù)完整性和數(shù)據(jù)保留特性。為了優(yōu)化19nm和20nm閃存存儲的可靠性和耐用性，LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字節(jié)扇區(qū)內(nèi)可校正多達55位錯誤，也成為業(yè)界首款可同時支持企業(yè)和客戶端市場的處理器。LSI SandForce產(chǎn)品包括一個獨特的糾錯引擎，盡管當今和未來先進NAND閃存技術(shù)對閃存錯誤校驗功能的要求不斷變化和提高，但是該引擎憑借其獨特的設(shè)計完全可以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
LSI 閃存組件部副總裁兼總經(jīng)理Michael Raam 指出：“與6家NAND閃存技術(shù)領(lǐng)先制造商開展合作，使我們能夠針對不斷縮小的芯片尺寸對閃存處理器進行優(yōu)化。SSD已經(jīng)具備云計算和財富1000企業(yè)中關(guān)鍵任務(wù)型計算環(huán)境所需的卓越可靠性，使用壽命和功效，并且隨著用戶越來越認可這些屬性，我們期望繼續(xù)看到SSD技術(shù)被廣泛采用。”
為了滿足客戶對小尺寸閃存器件的可靠性和耐用性要求，LSI SandForce FSP 采用了DuraClass® 高級NAND閃存管理技術(shù)。
DuraClass管理特性包括：
LSI技術(shù)演示將在臺北市君悅酒店1037和1038號LSI套房中進行。如需了解關(guān)于LSI SandForce FSP的更多信息，敬請訪問：www.lsi.com/sandforce。
About LSI
LSI公司 (NYSE: LSI) 設(shè)計的半導(dǎo)體組件和軟件可用于提高數(shù)據(jù)中心、移動網(wǎng)絡(luò)和客戶端計算的存儲性能和網(wǎng)絡(luò)速度。我們的技術(shù)是高度智慧的結(jié)晶，是加強應(yīng)用性能的關(guān)鍵所在。同時，我們積極與合作伙伴開展協(xié)作，共同開發(fā)解決方案以更好地將我們的技術(shù)應(yīng)用其中。如需了解更多詳情，請訪問：www.lsi.com。
(1) IDC，“IDC WW SSD 2011-2015年預(yù)測更新”， 2012年3月。
LSI與LSI徽標設(shè)計以及SandForce、DuraClass、DuraWrite以及RAISE均是LSI公司的商標或注冊商標。
所有其它品牌或產(chǎn)品名稱可能是其各自所有者的商標或注冊商標。
