廈門2025年3月12日 /美通社/ -- 國際電工委員會（IEC）正式發(fā)布了《聲表面波器件用單晶晶片規(guī)范與測量方法》（IEC 62276:2025），首次明確了壓電材料的光學(xué)性能標(biāo)準(zhǔn)。三安濾波器晶體團隊以在材料端的研發(fā)經(jīng)驗，在關(guān)于透過率（晶片黑化程度）的相關(guān)技術(shù)要求和相應(yīng)測量方法中做出重要貢獻(xiàn)。

隨著5G通信和物聯(lián)網(wǎng)終端向高頻化、微型化加速發(fā)展，聲表面波（SAW）濾波器作為射頻前端的核心組件，承擔(dān)著信號選頻的關(guān)鍵功能。據(jù)Yole Développement預(yù)測，到2026年，全球聲表面波濾波器市場規(guī)模將達(dá)55億美元。智能終端對濾波器數(shù)量和性能的需求激增，推動材料技術(shù)向更高一致性、更優(yōu)光學(xué)性能演進。

2025年3月7日，國際電工委員會（IEC）正式發(fā)布《聲表面波器件用單晶晶片規(guī)范與測量方法》（IEC 62276:2025），首次將壓電材料的光學(xué)性能（透過率/黑化程度）納入國際標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)由中國企業(yè)主導(dǎo)修訂，標(biāo)志著我國在高端壓電材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從技術(shù)跟隨到規(guī)則制定的跨越。

泉州三安集成（原晶安光電團隊）依托三安光電二十余年的化合物半導(dǎo)體研發(fā)制造經(jīng)驗，持續(xù)投入LN/LT壓電材料制備工藝的研發(fā)，逐步掌握成熟的晶片黑化工藝。團隊自2016年深度參與該項目的標(biāo)準(zhǔn)論證，在透過率的相關(guān)技術(shù)要求和相應(yīng)測量方法與項目其他成員協(xié)作，討論及驗證試驗，提出了多項技術(shù)性修改內(nèi)容，納入了新標(biāo)準(zhǔn)中主要的修訂內(nèi)容之一。

三安擁有國內(nèi)少有的濾波器垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，構(gòu)建射頻前端芯片整合解決方案制造平臺，持續(xù)加強工藝和材料的研發(fā)投入，積極投身行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定和提升，促進行業(yè)協(xié)同發(fā)展和產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)提升，為全球頭部射頻設(shè)計公司提供可靠的芯片制造服務(wù)。