三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm，散熱控制能力更強，適合端側AI在移動端的應用
LPDDR封裝采用12納米級工藝，四層堆疊，在提升Die密度的同時，減少厚度，提高耐熱性
深圳2024年8月6日 /美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM（內存）開始量產，支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固三星在低功耗內存市場的地位。
三星LPDDR5X DRAM
憑借在芯片封裝領域豐富的技術經驗，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝，使移動設備內有多余的空間，促進空氣流動。散熱控制能力因此得到提升，這一屬性對于像端側人工智能類具有復雜功能的高性能應用尤為關鍵。
三星LPDDR5X DRAM封裝示意圖
“LPDDR5X DRAM在具備卓越的移動端低功耗性能的同時，還能在超輕薄的封裝中提供先進的熱管理功能，為高性能端側AI解決方案樹立了新標準。”三星電子存儲器產品企劃團隊執(zhí)行副總裁YongCheol Bae表示?！叭菍⒊种院愕嘏c客戶密切合作，不斷創(chuàng)新，提供能夠滿足符合時代的低功耗DRAM解決方案。
憑借LPDDR5X DRAM的封裝技術，三星提供了其業(yè)內最薄，采用四層堆疊結構[1]的12納米級LPDDR DRAM。與上一代產品相比，厚度降低約9%，耐熱性能提升約21.2%。
三星LPDDR5X DRAM緊有0.65mm，薄如指甲
通過采用更先進的印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)[2]工藝，新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超過之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星優(yōu)化了背面研磨工藝[3]，進一步壓縮了封裝厚度。
三星計劃通過向移動處理器生產商，和移動設備制造商供應0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，繼續(xù)擴大低功耗DRAM的市場。隨著市場對高性能、高密度且封裝尺寸更小的移動存儲解決方案的需求持續(xù)增長，三星計劃開發(fā)6層24GB和8層32GB的模組，為未來設備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。
除非經特殊說明，本文中所涉及的數據均為三星內部測試結果，涉及的對比均為與三星產品相比較。
[1] 四層堆疊封裝，每層均由兩片LPDDR DRAM芯片組成 |
[2] 用于保護半導體電路免受高溫、沖擊和潮濕等外部環(huán)境影響的材料。 |
[3] 研磨晶圓的背面使厚度變薄的工藝 |
