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    MPI推出獨(dú)特用于1/f雜訊和RTN量測(cè)的NoiseShield(TM)解決方案

    MPI 推出了一款新的 NoiseShield? 產(chǎn)品,選配此產(chǎn)品可提供卓越的 EMI 屏蔽功能、低接地阻抗和最短的電纜長(zhǎng)度,來(lái)減少寄生電容可大幅將測(cè)試系統(tǒng)的 roll-off 頻率最大化 。

     

    新竹201911月8 /美通社/ -- MPI推出了一款新的 NoiseShield?產(chǎn)品,選配此產(chǎn)品可提供卓越的 EMI 屏蔽功能、低接地阻抗和最短的電纜長(zhǎng)度,來(lái)減少寄生電容可大幅將測(cè)試系統(tǒng)的 roll-off 頻率最大化。透過(guò)此選配可減少外部磁場(chǎng)對(duì)量測(cè)結(jié)果的影響,并使1/f RTN雜訊量測(cè)更加安定,不受放置場(chǎng)所的影響。此外,它還使探針臺(tái)所造成的影響“隱形”,使量測(cè)結(jié)果達(dá)到測(cè)試儀器的測(cè)試值極限。

    MPI的NoiseShield產(chǎn)品經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì),可通過(guò)降低測(cè)試成本來(lái)提供高客戶(hù)價(jià)值。它與MPI ShielDEnvironment?配合使用,為DUT、測(cè)量?jī)x器(如前置放大器)、所有電纜和連接器提供無(wú)與倫比的EMI屏蔽功能。NoiseShield?解決方案可通過(guò)縮短電纜長(zhǎng)度來(lái)減少寄生電容,以最大限度地提高測(cè)試系統(tǒng)的衰減頻率。該解決方案還可減少外部磁場(chǎng)對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。
    MPI的NoiseShield產(chǎn)品經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì),可通過(guò)降低測(cè)試成本來(lái)提供高客戶(hù)價(jià)值。它與MPI ShielDEnvironment?配合使用,為DUT、測(cè)量?jī)x器(如前置放大器)、所有電纜和連接器提供無(wú)與倫比的EMI屏蔽功能。NoiseShield?解決方案可通過(guò)縮短電纜長(zhǎng)度來(lái)減少寄生電容,以最大限度地提高測(cè)試系統(tǒng)的衰減頻率。該解決方案還可減少外部磁場(chǎng)對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。

    MPI 先進(jìn)半導(dǎo)體測(cè)試事業(yè)部元件建模總監(jiān) Toe Naing Swe 表示:“MPI NoiseShield?是提供1/f 量測(cè)高價(jià)值解決方案的下一步。結(jié)合使用 MPI ShielDEnvironment?,使用者可以體驗(yàn)待測(cè)物 (DUT) 和測(cè)量?jī)x器(如 ProPlus 9812DX 的前置放大器)、所有電纜和連接器的優(yōu)越 EMI 屏蔽功能。這種完全整合的解決方案透過(guò)將低雜訊放大器 (LNA) 置于非??拷?/span> DUT 的位置,以縮短電纜的長(zhǎng)度。透過(guò)配備 MPI WaferWallet® 模塊的 TS3500-SE全自動(dòng)探針臺(tái),使用者可以 on-wafer 進(jìn)行完全自動(dòng)化的1/f 雜訊量測(cè)。MPI SENTIO® 軟體套件提供 ProPlus Design Solutions 產(chǎn)品所需的驅(qū)動(dòng)程式,如 BSIMProPlus?NoiseProPlus?,使自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)的組成更為容易?!?/span>

    ProPlus Design Solutions Inc 首席執(zhí)行長(zhǎng)兼聯(lián)合創(chuàng)始人劉志宏博士說(shuō):“MPI 探針臺(tái)功能卓越,是我使用過(guò)數(shù)一數(shù)二的探針臺(tái)。在雜訊量測(cè)方面,它擁有優(yōu)秀屏蔽功能并大幅減少寄生電容。憑借這款產(chǎn)品,我們能夠在不降低系統(tǒng)性能的前提下發(fā)揮系統(tǒng)的極限。利用9812DX 中的高精度 LNA,我們能夠以大于20KHz 的頻寬獲得3e-27 A^2/Hz noise floor,同時(shí)可以精確地監(jiān)測(cè)到 pA 等級(jí)的偏低電流。低頻測(cè)量上可到0.1Hz,而不受機(jī)械振動(dòng)的影響。藉由 MPI 探針臺(tái),我們對(duì)金氧半場(chǎng)效電晶體 (MOSFET) 量測(cè)到10MHz,雜訊準(zhǔn)位達(dá)到了我們的寬頻 LNA noise floor?!?/span>

    消息來(lái)源:MPI Corporation
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