北京2009年8月10日電 /美通社亞洲/ -- Strategy Analytics 發(fā)布最新研究報告“光纖模擬芯片市場機會：2008-2013”。化合物半導體正在越來越多地被應用在更高價值、更高成長性的細分產品市場上。在不斷增長的光纖模擬芯片市場，硅 (Silicon)，硅化鍺 (SiGe)，砷化鎵 (GaAs)和磷化銦 (InP)技術各有所長，將爭奪化合物半導體市場份額。報告提供對光纖模擬芯片，包括跨阻抗放大器 (TIAs - transimpedance amplifiers)，激光驅動器 (laser drivers) 和后置/限幅放大器 (post/limiting amplifiers) 的增長預測。

速度小于 2.5 Gbps 的舊版網絡目前仍主導市場份額，但是在預測期內將增長緩慢。受到市場對帶寬需求不斷增長的驅動，10 Gbps 網絡將成為行業(yè)的事實標準，在2011-2013年期間，其復合年增長率將達到20％。隨著市場不斷推進向更高網速的發(fā)展，40 Gbps 網絡也會出現(xiàn)強勢增長。

Strategy Analytics 的 GaAs 和化合物半導體技術市場研究部主管 Asif Anwar 認為：“相比其它大多數(shù)通信市場，光纖抗市場風險的能力更強。這是因為市場對更多、更快的帶寬需求似乎總不滿足，而鋪設光纖的資本支出也早已到位。Strategy Analytics 預期，基于砷化鎵 (GaAs) 和磷化銦 (InP) 的激光驅動器和 TIAs 是推出更高速的 10 Gbps, 40 Gbps，乃至 100 Gbps 網絡的關鍵支持技術。”

光纖模擬芯片市場需求將受益于消費者和企業(yè)用戶對“高帶寬應用”使用的不斷增長，這些應用包括：

-- 基于IP (Internet Protocol)的語音，視頻和數(shù)據(jù)應用

-- 高帶寬視頻服務，如高清電視(HDTV) 和視頻點播 (VOD)

-- 企業(yè)存儲網絡

-- 高成長的 3G 和 4G 無線標準的更高帶寬回程

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