SK海力士公司展示了321層4D NAND的樣品，公開了其開發(fā)行業(yè)首款具有超過300層的NAND的進展。

該公司展示了其321層1Tb TLC 4D NAND Flash的開發(fā)進展，并在8月8日至10日在圣克拉拉舉行的Flash Memory Summit（FMS）2023上展示了樣品。

SK海力士是首家詳細披露開發(fā)具有超過300層的NAND進展的公司。該公司計劃提高321層產(chǎn)品的完成水平，并從2025年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)。

該公司表示，其從已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的世界最高238層NAND的成功中積累的技術(shù)競爭力為321層產(chǎn)品的開發(fā)鋪平了道路。 “通過另一次突破以解決堆疊限制，SK海力士將開啟超過300層的NAND時代并引領(lǐng)市場。”

與早期的238層512Gb相比，321層1Tb TLC NAND的生產(chǎn)率提高了59％，這要歸功于技術(shù)發(fā)展，該技術(shù)使更多單元格堆疊和更大存儲容量在單個芯片上實現(xiàn)，這意味著可以在單個晶片上生產(chǎn)的總?cè)萘吭黾恿恕?/p>

FMS上，SK海力士還介紹了針對此類AI需求進行優(yōu)化的下一代NAND解決方案，包括采用PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企業(yè)SSD。

該公司預(yù)計這些產(chǎn)品將實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的性能，以充分滿足高性能客戶的需求。

SK海力士還宣布已經(jīng)開始開發(fā)下一代PCIe Gen6和UFS 5.0，并表示致力于引領(lǐng)行業(yè)趨勢。

（美通社頭條）