6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡(jiǎn)稱 GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開(kāi)始初步生產(chǎn)。

相較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%。三星電子首次實(shí)現(xiàn)GAA"多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管"（簡(jiǎn)稱: MBCFETTM  Multi-Bridge-Channel FET）應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過(guò)降低工作電壓水平來(lái)提高能耗比，同時(shí)還通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)電流增強(qiáng)芯片性能。三星首先將納米片晶體管應(yīng)用于高性能、低功耗計(jì)算領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片，并計(jì)劃將其擴(kuò)大至移動(dòng)處理器領(lǐng)域。（美通社,2022年6月30日深圳）